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单晶硅是具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。tg注册登录是在工业生产中使用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。其主要指标有少子寿命，氧含量等等。tg注册登录是生产单晶硅片的原材料。
| 项目 | 技术参数 |
|---|---|
| 位错密度 | <500at0ms/cm² |
| 边长 | 156.75±0.25mm |
| 对角线（单晶） | 210±0.25mm |
| 四边垂直度 | 90°±0.3° |
| 晶向 | <100>±3° |
| 粗糙度 | Ra≤1.5um |
| 弧宽度偏差（单晶） | 12±0.5mm |
| 斜面 | ≤1.5mm |
| 导电类型 | P |
| 电阻率 | 1-3Ω·cm |
| 少子寿命 | ＞3μs（裸测），＞15μs（钝化后） |
| 氧含量 | ≤1*1018atoms/cm³ |
| 碳含量 | ≤0.5*1017atoms/cm³ |
| 生长方法 | CZ 直拉法 |
| 掺杂挤 | B 硼 |
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0512-58427758